Datasheet IRF8010STRLPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 100 В, D2-PAK — Даташит
Наименование модели: IRF8010STRLPBF
![]() 32 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 260Вт; D2PAK | |||
IRF8010STRLPBF Infineon | от 201 ₽ | ||
IRF8010STRLPBF Infineon | от 226 ₽ | ||
IRF8010STRLPBF Infineon | 1 113 ₽ | ||
IRF8010STRLPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, 100 В, D2-PAK
Краткое содержание документа:
PD - 94573
SMPS MOSFET
Applications l High frequency DC-DC converters l UPS and Motor Control Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App.
Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l Typical RDS(on) = 12m
l
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 80 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 15 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Cont Current Id @ 100В°C: 57 А
- Cont Current Id @ 25В°C: 80 А
- Current Id Max: 80 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 260 Вт
- Pulse Current Idm: 320 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds: 100 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
- Rth: 0.57
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5