Datasheet IRF8113PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8 — Даташит

Купить IRF8113PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 202 ₽ 14 предложений от 12 поставщиков MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 4.7Milliohms; ID 17.2A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-2
Триема Россия	IRF8113PBF SP001572234 IRF Infineon	37 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRF8113PBF Infineon	от 157 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IRF8113PBF Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF8113PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95138B
IRF8113PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 100% Tested for RG l Lead-Free
VDSS

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 17.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 5.6 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 2.2 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 17.2 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Format: 1 с
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 135 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: IRF8113PBF
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.2 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01