Datasheet IRF8252PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 25 В, SO8 — Даташит
Наименование модели: IRF8252PBF
![]() 28 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 25А; 2,5Вт; SO8; HEXFET® | |||
IRF8252PBF International Rectifier | 42 ₽ | ||
IRF8252PBF MOSFET N-CH 25V 25A | 49 ₽ | ||
IRF8252PBF Infineon | по запросу | ||
IRF8252PBF Mean Well | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 25 В, SO8
Краткое содержание документа:
PD - 96158
IRF8252PbF
Applications
Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters
l
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 25 А
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- On Resistance Rds(on): 2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 1.8 В
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 25 А
- Тип корпуса: SOIC-8
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 200 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Voltage Vds Typ: 25 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.35 В
- Voltage Vgs th Min: 1.35 В
RoHS: есть