Datasheet IRF8714PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N SO-8 — Даташит

Купить IRF8714PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 8.04 до 146 ₽ 20 предложений от 15 поставщиков Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Триема Россия	IRF8714PBF SP001555772 IRF Infineon	19 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	IRF8714PBF International Rectifier	27 ₽	Купить
Romstore Россия, Беларусь	IRF8714PBF	от 55 ₽	Купить
727GS Весь мир	IRF8714PBF Infineon	от 146 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96116
IRF8714PbF
Applications l Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power l Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems Benefits l Very Low Gate Charge l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max.

Gate Rating l 100% tested for Rg l Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET
VDSS

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 14 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 8.7 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 1.8 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 8.1nC
• Current Id Max: 14 А
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 110 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• BONKOTE - BON102
• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE932-01