Datasheet IRF8714PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF8714PBF
Купить IRF8714PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 8.84 до 55 ₽ 15 предложений от 11 поставщиков Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8 | |||
| IRF8714PBF International Rectifier | 8.84 ₽ | ||
| IRF8714PBF Infineon | от 19 ₽ | ||
| IRF8714PBF SP001555772 IRF Infineon | 19 ₽ | ||
| IRF8714PBF Infineon | 20 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N SO-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PD - 96116
IRF8714PbF
Applications l Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power l Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems Benefits l Very Low Gate Charge l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max.
Gate Rating l 100% tested for Rg l Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET
VDSS
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 14 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 8.7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 1.8 В
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 8.1nC
- Current Id Max: 14 А
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 110 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- BONKOTE - BON102
- Electrolube - SMA10SL
- Roth Elektronik - RE932-01
