Datasheet IRF9333PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 9.2 А, SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF9333PBF
![]() 15 предложений от 12 поставщиков Транзистор полевой P-канальный 30В 9.2А 2.5Вт | |||
IRF9333PBF Infineon | 30 ₽ | ||
IRF9333PBF Infineon | 45 ₽ | ||
IRF9333PBF Ledil | по запросу | ||
IRF9333PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 9.2 А, SO-8
Краткое содержание документа:
PD - 97523
IRF9333PbF
HEXFET® Power MOSFET VDS RDS(on) max
(@VGS = -10V)
-30 19.4 32.5 14 -9.2
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 15.6 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: -9.2 А
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- VISHAY SILICONIX - SI3552DV-T1-E3