Datasheet IRF9520NSPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, TO-263 — Даташит

Купить IRF9520NSPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 33 до 165 ₽ 14 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, MOSFET Transistor, P Channel, 6.8A, -100V, 480mohm, -10V, -4V
T-electron Россия и страны СНГ	IRF9520NSPBF Infineon	88 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IRF9520NSPBF International Rectifier	103 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	IRF9520NSPBF International Rectifier	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF9520NSPBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, P, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 95764
IRF9520NSPbF IF9520NLPbF
Lead-Free
www.irf.com
1

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.8 А
• Drain Source Voltage Vds: -100 В
• On Resistance Rds(on): 480 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Voltage Vgs Max: -4 В
• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: D2-PAK
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 140mJ
• Capacitance Ciss Typ: 350 пФ
• Current Iar: 4 А
• Current Id Max: -6.8 А
• Current Idss Max: 25 мкА
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 15.49 мм
• Внешняя длина / высота: 4.69 мм
• Внешняя ширина: 10.16 мм
• Fall Time tf: 31 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 175°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 3.1°C/W
• N-channel Gate Charge: 27nC
• Количество транзисторов: 1
• On State resistance @ Vgs = 10V: 480 МОм
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 48 Вт
• Power Dissipation on 1 Sq.

  PCB: 3.8 Вт

• Pulse Current Idm: 27 А
• Repetitive Avalanche Energy Max: 4.8mJ
• Reverse Recovery Time trr Typ: 100 нс

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5