Datasheet IRF9540NLPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, 100 В, TO-262 — Даташит
Наименование модели: IRF9540NLPBF
![]() 38 предложений от 15 поставщиков Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A TO262-3 | |||
IRF9540NLPBF Infineon | от 66 ₽ | ||
IRF9540NLPBF Infineon | от 223 ₽ | ||
IRF9540NLPBF Infineon | 273 ₽ | ||
IRF9540NLPBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, P, 100 В, TO-262
Краткое содержание документа:
PD - 91483E
IRF9540NS/L
Advanced Process Technology Surface Mount (IRF9540NS) l Low-profile through-hole (IRF9540NL) l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l P-Channel l Fully Avalanche Rated Description
l l
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 23 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 117 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 25 В
- Корпус транзистора: TO-262
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 430mJ
- Capacitance Ciss Typ: 1300 пФ
- Current Iar: 11 А
- Current Id Max: -23 А
- Fall Time tf: 51 нс
- Gfs Min: 5.3mA/V
- On State Resistance Max: 117 МОм
- P Channel Gate Charge: 97nC
- Тип корпуса: TO-262
- Power Dissipation Pd: 140 Вт
- Pulse Current Idm: 76 А
- Rise Time: 67 нс
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds: 100 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A