Datasheet IRF9952PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF9952PBF
![]() 16 предложений от 15 поставщиков Транзисторы - Двойные МОП-транзисторы | |||
IRF9952PBF | 14 ₽ | ||
IRF9952PBF MOSFET N+P 30V 2.3A International Rectifier | 27 ₽ | ||
IRF9952PBF STMicroelectronics | по запросу | ||
IRF9952PBF MOS International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, SO-8
Краткое содержание документа:
PD - 95135
IRF9952PbF
l l l l l l l
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual N and P Channel MOSFET Surface Mount Very Low Gate Charge and Switching Losses Fully Avalanche Rated Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 100 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 1 В
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Cont Current Id N Channel 2: 3.5 А
- Cont Current Id P Channel: 2.3 А
- Current Id Max: 3.5 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 5.2 мм
- Внешняя длина / высота: 1.75 мм
- Внешняя ширина: 4.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 2
- On State Resistance N Channel Max: 100 МОм
- On State Resistance P Channel Max: 250 МОм
- Тип корпуса: SOIC
- Pin Configuration: b
- Pin Format: 1 S1
- Power Dissipation P Channel 2: 2 Вт
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Pulse Current Idm: 16 А
- Pulse Current Idm N Channel 2: 16 А
- Pulse Current Idm P Channel: 10 А
- Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
- SMD Marking: F9952
- Способ монтажа: SMD
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Roth Elektronik - RE932-01