Datasheet IRFB4620PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 200 В, TO-220AB — Даташит
Наименование модели: IRFB4620PBF
![]() 46 предложений от 20 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
IRFB4620PBF Infineon | от 29 ₽ | ||
IRFB4620PBF Infineon | 47 ₽ | ||
IRFB4620PBF Infineon | от 176 ₽ | ||
IRFB4620PBF,(IRF630,IRF640)Nкан 200В 25А TO220AB | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 200 В, TO-220AB
Краткое содержание документа:
PD -96172
IRFB4620PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability l Lead-Free
TO-220AB IRFB4620PbF
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 25 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on): 60 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 25 А
- Тип корпуса: TO-220AB
- Power Dissipation Pd: 144 Вт
- Pulse Current Idm: 100 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 5 В
- Voltage Vgs th Min: 3 В
RoHS: есть