Datasheet IRFB5615PBF - International Rectifier Даташит N CH полевой транзистор, 150 В, 35 А, TO-220AB — Даташит
Наименование модели: IRFB5615PBF
![]() 58 предложений от 23 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 150 В, 35 А, 0.032 Ом, TO-220AB, Through Hole | |||
IRFB5615PBF Infineon | от 23 ₽ | ||
IRFB5615PBF Infineon | от 70 ₽ | ||
IRFB5615PBF Infineon | 281 ₽ | ||
IRFB5615PBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: N CH полевой транзистор, 150 В, 35 А, TO-220AB
Краткое содержание документа:
PD - 96173
DIGITAL AUDIO MOSFET
Features
· Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications · Low RDSON for Improved Efficiency · Low QG and QSW for Better THD and Improved Efficiency · Low QRR for Better THD and Lower EMI · 175°C Operating Junction Temperature for Ruggedness · Can Deliver up to 300W per Channel into 4 Load in Half-Bridge Configuration Amplifier
G S D
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current, Id: 35 А
- Drain Source Voltage, Vds: 150 В
- On Resistance, Rds(on): 0.032 Ом
- Rds(on) Test Voltage, Vgs: 10 В
- Threshold Voltage, Vgs Typ: 3 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB