Datasheet IRFF110 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, TO-39 — Даташит

Купить IRFF110 на РадиоЛоцман.Цены — от 522 до 4 604 ₽ 14 предложений от 14 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN
AiPCBA Весь мир	IRFF110 International Rectifier	639 ₽	Купить
Элитан Россия	IRFF110 Infineon	4 604 ₽	Купить
Maybo Весь мир	IRFF110R International Rectifier	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	IRFF110-QR-B	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, TO-39

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 90423C
REPETITIVE A ALANCHE AND dv/dt RATED V
HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
Product Summary
Part Number IRFF110 BVDSS 100V RDS(on) .60 ID 3.5A

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 600 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: TO-39
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 68mJ
• Current Id Max: 3.5 А
• Current Temperature: 25°C
• Внешняя длина / высота: 18.03 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Lead Length: 14.22 мм
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: TO-39
• Power Dissipation Pd: 15 Вт
• Pulse Current Idm: 14 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Вес: 0.0024kg

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 201SA-3
• Fischer Elektronik - TF 3 2
• Fischer Elektronik - WLK 5