Datasheet IRFH3702TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор N-CH 30 В 16 А PQFN33 — Даташит
Наименование модели: IRFH3702TR2PBF
![]() 18 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, PQFN N-CH 30V 16A | |||
IRFH3702TR2PBF Infineon | 47 ₽ | ||
IRFH3702TR2PBF International Rectifier | от 92 ₽ | ||
IRFH3702TR2PBF International Rectifier | по запросу | ||
IRFH3702TR2PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор N-CH 30 В 16 А PQFN33
Краткое содержание документа:
PD - 97368A
IRFH3702PbF
Applications
l l l
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 16 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 7.1 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 1.8 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PQFN
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 16 мА
- Тип корпуса: PQFN
- Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть