Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet IRFH3707TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 12 А, PQFN33 — Даташит

International Rectifier IRFH3707TR2PBF

Наименование модели: IRFH3707TR2PBF

11 предложений от 10 поставщиков
IRFH3707 30V single N-ch HEXFET power MOSFET
ЧипСити
Россия
IRFH3707TR2PBF
Infineon
38 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRFH3707TR2PBF
International Rectifier
58 ₽
ТаймЧипс
Россия
IRFH3707TR2PBF
International Rectifier
по запросу
Utmel
Весь мир
IRFH3707TR2PBF
Infineon
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 12 А, PQFN33

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96227B
IRFH3707PbF
Applications
l l l l
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 12 А
  • Current Id Max: 29 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 9.4 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Влагостойкость: MSL 2 - 1 year
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: PQFN
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 2.8 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet IRFH3707TR2PBF - International Rectifier MOSFET, N CH, 30 V, 12 A, PQFN33

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России