Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet IRFH5220TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, Вт DIO, N CH, 200 В, 3.8 А, PQFN56 — Даташит

International Rectifier IRFH5220TR2PBF

Наименование модели: IRFH5220TR2PBF

10 предложений от 10 поставщиков
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN / N-Channel 200 V 3.8A (Ta), 20A (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
AiPCBA
Весь мир
IRFH5220TR2PBF
International Rectifier
81 ₽
ChipWorker
Весь мир
IRFH5220TR2PBF
Infineon
133 ₽
IRFH5220TR2PBF
International Rectifier
по запросу
727GS
Весь мир
IRFH5220TR2PBF
Infineon
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, Вт DIO, N CH, 200 В, 3.8 А, PQFN56

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD -97615
IRFH5220PbF
HEXFET® Power MOSFET VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)
200 99.9 20 2.3 20

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 200 В
  • On Resistance Rds(on): 0.08 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Power Dissipation Pd: 3.6 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PQFN
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • International Rectifier - IR2101PBF

На английском языке: Datasheet IRFH5220TR2PBF - International Rectifier MOSFET, W DIO, N CH, 200 V, 3.8 A, PQFN56

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка