Datasheet IRFH5220TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, Вт DIO, N CH, 200 В, 3.8 А, PQFN56 — Даташит
Наименование модели: IRFH5220TR2PBF
![]() 11 предложений от 11 поставщиков MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN / N-Channel 200 V 3.8A (Ta), 20A (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) | |||
IRFH5220TR2PBF Infineon | 138 ₽ | ||
IRFH5220TR2PBF | по запросу | ||
IRFH5220TR2PBF Infineon | по запросу | ||
IRFH5220TR2PBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, Вт DIO, N CH, 200 В, 3.8 А, PQFN56
Краткое содержание документа:
PD -97615
IRFH5220PbF
HEXFET® Power MOSFET VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)
200 99.9 20 2.3 20
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on): 0.08 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Power Dissipation Pd: 3.6 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PQFN
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- International Rectifier - IR2101PBF