Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet IRFH5220TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, Вт DIO, N CH, 200 В, 3.8 А, PQFN56 — Даташит

International Rectifier IRFH5220TR2PBF

Наименование модели: IRFH5220TR2PBF

10 предложений от 10 поставщиков
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN / N-Channel 200 V 3.8A (Ta), 20A (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
ChipWorker
Весь мир
IRFH5220TR2PBF
Infineon
140 ₽
Maybo
Весь мир
IRFH5220TR2PBF
Infineon
по запросу
IRFH5220TR2PBF
International Rectifier
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
IRFH5220TR2PBF
Infineon
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, Вт DIO, N CH, 200 В, 3.8 А, PQFN56

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD -97615
IRFH5220PbF
HEXFET® Power MOSFET VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)
200 99.9 20 2.3 20

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 200 В
  • On Resistance Rds(on): 0.08 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Power Dissipation Pd: 3.6 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PQFN
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • International Rectifier - IR2101PBF

На английском языке: Datasheet IRFH5220TR2PBF - International Rectifier MOSFET, W DIO, N CH, 200 V, 3.8 A, PQFN56

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка