Datasheet IRFH5250TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 25 В, 100 А, PQFN — Даташит
Наименование модели: IRFH5250TR2PBF
![]() 10 предложений от 10 поставщиков MOSFET N-CH 25V 45A PQFN / N-Channel 25 V 45A (Ta), 100A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) | |||
IRFH5250TR2PBF International Rectifier | 122 ₽ | ||
IRFH5250TR2PBF International Rectifier | по запросу | ||
IRFH5250TR2PBF | по запросу | ||
IRFH5250TR2PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N CH, 25 В, 100 А, PQFN
Краткое содержание документа:
PD -96265
IRFH5250PbF
HEXFET® Power MOSFET
VDS RDS(on) max
(@VGS = 10V)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 25 В
- On Resistance Rds(on): 900µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Рассеиваемая мощность: 3.6 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: QFN
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 100 А
- Тип корпуса: QFN
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 25 В
- Voltage Vgs Max: 1.8 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть