Datasheet IRFF9230 - International Rectifier Даташит P CH полевой транзистор, -200 В, 4 А, TO-205AF — Даташит
Наименование модели: IRFF9230
Купить IRFF9230 на РадиоЛоцман.Цены — от 654 до 7 046 ₽ 17 предложений от 14 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | |||
| IRFF9230 Infineon | 654 ₽ | ||
| IRFF9230 Infineon | 663 ₽ | ||
| 2N6851/IRFF9230 Central Semiconductor | по запросу | ||
| IRFF9230 | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: P CH полевой транзистор, -200 В, 4 А, TO-205AF
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PD - 90551D
IRFF9230 JANTX2N6851 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6851 HEXFET TRANSISTORS JANS2N6851 THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/564 200V, P-CHANNEL
Product Summary
Part Number BVDSS RDS(on) IRFF9230 -200V 0.80 ID -4.0A
The HEXFET technology is the key to International Rectifier's advanced line of power MOSFET transistors.
The efficient geometry and unique processing of this latest "State of the Art" design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance. The HEXFET transistors also feature all of the well established advantages of MOSFETs such as voltage control, very fast switching, ease of parelleling and temperature stability of the electrical parameters. They are well suited for applications such as switching power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers and high energy pulse circuits.
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 4 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on): 800 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -4 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: TO-39
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 75mJ
- Current Id Max: -4 А
- Current Temperature: 25°C
- Внешняя длина / высота: 18.03 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Lead Length: 14.22 мм
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-39
- Power Dissipation Pd: 25 Вт
- Pulse Current Idm: 16 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: -4 В
- Voltage Vds Typ: -200 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Вес: 0.98 г
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - AKK 191
- Fischer Elektronik - FK 201SA-3
- Fischer Elektronik - TF 3 2
- Fischer Elektronik - WLK 5
