Datasheet IRF7663 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P MICRO-8 — Даташит

Купить IRF7663 на РадиоЛоцман.Цены — от 77 до 260 ₽ 22 предложений от 18 поставщиков P-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=8.2A@T=25C, Id=6.6A@T=70C, Rds=0.02 R@Vgs=4.5V, P=1.8W, -55 to +150C)
ТаймЧипс Россия	IRF7663SO-8	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	IRF7663TRPBF International Rectifier	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	IRF7663-8P	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF7663TR Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, P MICRO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD-91866A
IRF7663
HEXFET® Power MOSFET
q q q q q q
Trench Technology Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Very Small SOIC Package Low Profile (<1.1mm) Available in Tape & Reel

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 8.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 20 МОм
• Корпус транзистора: MicroSOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 115mJ
• Capacitance Ciss Typ: 2520 пФ
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 50nC
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.03 мм
• Внешняя длина / высота: 1.11 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Gfs Min: 14.5A/V
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Расстояние между выводами: 0.65 мм
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 20 МОм
• Тип корпуса: Micro8
• Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
• Pulse Current Idm: 66 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 70 нс
• Расстояние между рядами выводов: 4.24 мм
• SMD Marking: 7663
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: -1 В
• Voltage Vgs th Min: -0.6 В

Дополнительные аксессуары:

• Roth Elektronik - RE903