Datasheet IRF7322D1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, FETKY, SO-8 — Даташит

Купить IRF7322D1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 35 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8Pin SOIC
AiPCBA Весь мир	IRF7322D1PBF International Rectifier	35 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF7322D1PBF	по запросу	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IRF7322D1PBF International Rectifier	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF7322D1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, P, FETKY, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95298
IRF7322D1PbF
FETKYд MOSFET / Schottky Diode
l l l l l l l
Co-packaged HEXFET® Power MOSFET and Schottky Diode Ideal For Buck Regulator Applications P-Channel HEXFET Low VF Schottky Rectifier Generation 5 Technology SO-8 Footprint Lead-Free

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 58 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Voltage Vgs Max: -12 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 43 А
• Current Temperature: 25°C
• Forward Current If(AV): 2.7 А
• Forward Voltage VF Max: 500 мВ
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 43 А
• SMD Marking: F7322
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -700 мВ
• Voltage Vds Typ: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
• Voltage Vgs th Max: -1.2 В
• Voltage Vgs th Min: -0.7 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01