Datasheet IRF7416QPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P SO-8 — Даташит

Купить IRF7416QPBF на РадиоЛоцман.Цены 7 предложений от 7 поставщиков -30V P-Channel HEXFET Power MOSFET in a LeadFree SO-8 -package
ChipWorker Весь мир	IRF7416QPBF Infineon	10 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IRF7416QPBF International Rectifier	по запросу	Купить
727GS Весь мир	IRF7416QPBF Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF7416QPBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, P SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96124
IRF7416QPbF
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l l l
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance P Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel 150°C Operating Temperature Automotive [Q101] Qualified Lead-Free

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 10 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 20 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Voltage Vgs Max: -20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 61nC
• Current Id Max: -10 А
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 45 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• BONKOTE - BON102
• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE932-01