Datasheet IRFL1006PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 60 В, 2.3 А, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: IRFL1006PBF
![]() 14 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.3A 4Pin(3+Tab) SOT-223 | |||
IRFL1006PBF Infineon | 26 ₽ | ||
IRFL1006PBF Infineon | 44 ₽ | ||
IRFL1006PBF Infineon | по запросу | ||
IRFL1006PBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, 60 В, 2.3 А, SOT-223
Краткое содержание документа:
PD - 91876
IRFL1006
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l
Surface Mount Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Fully Avalanche Rated
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 220 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 1.6 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 120°C/W
- On State resistance @ Vgs = 10V: 220 Ом
- Тип корпуса: SOT-223
- Power Dissipation Pd: 2.1 Вт
- Pulse Current Idm: 6.4 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
- Roth Elektronik - RE901