Datasheet IRFP4668PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, 200 В 130 А TO-247AC — Даташит
Наименование модели: IRFP4668PBF
![]() 41 предложений от 23 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 200Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 130Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 9,7Емкость, пФ:... | |||
IRFP4668PBF Infineon | 216 ₽ | ||
IRFP4668PBF | 228 ₽ | ||
IRFP4668PBF TO-247 Infineon | 474 ₽ | ||
IRFP4668PBF Infineon | от 497 ₽ |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, 200 В 130 А TO-247AC
Краткое содержание документа:
PD -97140
IRFP4668PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits G Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability l Lead-Free
D
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 130 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on): 8 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 30 В
- Voltage Vgs Max: 5 В
- Корпус транзистора: TO-247AC
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 130 А
- Тип корпуса: TO-247AC
- Power Dissipation Pd: 520 Вт
- Pulse Current Idm: 520 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A