Datasheet IRFP4668PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, 200 В 130 А TO-247AC — Даташит

Купить IRFP4668PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 88 до 832 ₽ 48 предложений от 24 поставщиков Транзисторы полевые.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 200Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 130Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 9,7Емкость, пФ:...
ЧипСити Россия	IRFP4668PBF Infineon	88 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IRFP4668PBF Infineon	от 165 ₽	Купить
Элевика Россия	IRFP4668PBF Infineon	192 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	IRFP4668PBF Infineon	от 640 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, 200 В 130 А TO-247AC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD -97140
IRFP4668PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits G Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability l Lead-Free
D

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 130 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 8 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 30 В
• Voltage Vgs Max: 5 В
• Корпус транзистора: TO-247AC
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 130 А
• Тип корпуса: TO-247AC
• Power Dissipation Pd: 520 Вт
• Pulse Current Idm: 520 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 200 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A