Datasheet IRFP4768PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH 250 В 93 А TO247 — Даташит

Купить IRFP4768PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 98 до 3 507 ₽ 50 предложений от 24 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 250Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 93Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 17,5Емкость, пФ:...
Промэлектроника Россия и страны СНГ	IRFP4768PBF Infineon	227 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IRFP4768PBF Infineon	405 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	IRFP4768PBF Infineon	от 1 026 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRFP4768PBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N-CH 250 В 93 А TO247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97379
IRFP4768PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability l Lead-Free
D

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 56 А
• Drain Source Voltage Vds: 250 В
• On Resistance Rds(on): 17.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 5 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-247AC
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 93 А
• Тип корпуса: TO-247AC
• Power Dissipation Pd: 520 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 250 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5 В

RoHS: есть