Datasheet IRFS3006PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, D2PAK — Даташит
Наименование модели: IRFS3006PBF
![]() 28 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 270А; 375Вт; D2PAK | |||
IRFS3006PBF Infineon | 169 ₽ | ||
IRFS3006PBF Infineon | от 654 ₽ | ||
IRFS3006PBF,Nкан 60В 270А D2Pak Vishay | по запросу | ||
IRFS3006PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, D2PAK
Краткое содержание документа:
PD - 96188
IRFS3006PbF IRFSL3006PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits G Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability l Lead-Free
D
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 270 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 8970 пФ
- Current Id Max: 270 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 375 Вт
- Pulse Current Idm: 1080 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 44 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: есть