Datasheet IRFS4010PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, D2PAK — Даташит

International Rectifier IRFS4010PBF

Наименование модели: IRFS4010PBF

Купить IRFS4010PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 115 до 373 ₽ 13 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, D2PAK N-CH 100V 180A
Триема Россия	IRFS4010PBF-VB	283 ₽
ЧипСити Россия	IRFS4010PBF Infineon	287 ₽
Lixinc Electronics Весь мир	IRFS4010PBF Infineon	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	IRFS4010PBF	по запросу

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96186
IRFS4010PbF IRFSL4010PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability l Lead-Free
D G S

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 180 А
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 3.9 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
Voltage Vgs Max: 4 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: D2-PAK
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Capacitance Ciss Typ: 9575 пФ
Current Id Max: 180 А
Тип корпуса: D2-PAK
Power Dissipation Pd: 375 Вт
Pulse Current Idm: 720 А
Reverse Recovery Time trr Typ: 72 нс
Способ монтажа: SMD
Voltage Vds Typ: 100 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Max: 4 В
Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: Y-Ex