Datasheet IRLR8103VPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, 89 А, D-PAK — Даташит

Купить IRLR8103VPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 27 до 171 ₽ 14 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, DPAK N-CH 30V 91A
ChipWorker Весь мир	IRLR8103VPBF Infineon	33 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IRLR8103VPBF Infineon	39 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRLR8103VPBF-IR Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRLR8103VPBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, 89 А, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95093A
IRLR8103VPbF
· · · · · N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Minimizes Parallel MOSFETs for high current applications
D
· 100% RG Tested · Lead-Free Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge.

The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DCDC converters that power the latest generation of microprocessors. The IRLR8103V has been optimized for all parameters that are critical in synchronous buck converters including RDS(on), gate charge and Cdv/dt-induced turn-on immunity. The IRLR8103V offers an extremely low combination of Qsw & RDS(on) for reduced losses in both control and synchronous FET applications. The package is designed for vapor phase, infra-red, convection, or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 2W is possible in a typical PCB

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 91 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 7.9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: D-PAK
• Current Id Max: 89 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.4°C/W
• On State resistance @ Vgs = 10V: 9 МОм
• Тип корпуса: DPAK
• Power Dissipation Pd: 115 Вт
• Pulse Current Idm: 363 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5