Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet SI4410DYPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N SO-8 лампа 95 — Даташит

International Rectifier SI4410DYPBF

Наименование модели: SI4410DYPBF

10 предложений от 9 поставщиков
Труба MOS, SOIC N-CH 30V 10A
AiPCBA
Весь мир
SI4410DYPBF
International Rectifier
60 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SI4410DYPBF
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
SI4410DYPBF
Infineon
по запросу
Augswan
Весь мир
SI4410DYPBF
Infineon
по запросу
Особенности выбора танталовых конденсаторов Xiangyee по номинальному напряжению

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N SO-8 лампа 95

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95168
Si4410DYPbF
l l l l l l
N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Charge Surface Mount Logic Level Drive Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 10 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 13.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 1 В
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 10 А
  • Current Temperature: 25°C
  • External Depth: 5.2 мм
  • Внешняя длина / высота: 1.75 мм
  • Внешняя ширина: 4.05 мм
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Температура перехода минимальная: -55°C
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: SOIC
  • Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
  • Pulse Current Idm: 50 А
  • SMD Marking: SI4410DY
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
  • Roth Elektronik - RE932-01

На английском языке: Datasheet SI4410DYPBF - International Rectifier MOSFET, N SO-8 TUBE 95

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка