Datasheet SI4410DYPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N SO-8 лампа 95 — Даташит

Купить SI4410DYPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 276 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; 1,6Вт; SO8; HEXFET®
ChipWorker Весь мир	SI4410DYPBF Infineon	29 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI4410DYPBF International Rectifier	58 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI4410DYPBF International Rectifier	62 ₽	Купить
727GS Весь мир	SI4410DYPBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N SO-8 лампа 95

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95168
Si4410DYPbF
l l l l l l
N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Charge Surface Mount Logic Level Drive Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 10 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 13.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 1 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 10 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 50 А
• SMD Marking: SI4410DY
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Roth Elektronik - RE932-01