Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet SI4420DYPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8 — Даташит

International Rectifier SI4420DYPBF

Наименование модели: SI4420DYPBF

13 предложений от 12 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8Pin SOIC Tube
ChipWorker
Весь мир
SI4420DYPBF
International Rectifier
18 ₽
ЧипСити
Россия
SI4420DYPBF
International Rectifier
42 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SI4420DYPBF
Infineon
от 51 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4420DYPBF
Infineon
73 ₽

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95729
Si4420DYPbF
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l
N-Channel MOSFET Low On-Resistance Low Gate Charge Surface Mount Logic Level Drive Lead-Free

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 12.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 9 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 1 В
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 12.5 А
  • Current Temperature: 25°C
  • External Depth: 5.2 мм
  • Внешняя длина / высота: 1.75 мм
  • Внешняя ширина: 4.05 мм
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: SOIC
  • Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
  • Pulse Current Idm: 50 А
  • Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
  • SMD Marking: SI4420DYPBF
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Dow Corning - 2265931
  • Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • Roth Elektronik - RE932-01

На английском языке: Datasheet SI4420DYPBF - International Rectifier MOSFET, N, LOGIC, SO-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка