Datasheet IRF6610TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 20 В, SQ — Даташит
Наименование модели: IRF6610TR1PBF
Купить IRF6610TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 91 до 3 359 ₽ 14 предложений от 8 поставщиков MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET | |||
IRF6610TR1PBF Infineon | от 91 ₽ | ||
IRF6610TR1PBF Infineon | от 93 ₽ | ||
IRF6610TR1PBF,Nкан 20В 15А/66А DirectFET SQ International Rectifier | 3 359 ₽ | ||
IRF6610TR1PBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 20 В, SQ
Краткое содержание документа:
PD - 97220
DirectFETTM Power MOSFET
RoHs Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Profile (<0.7mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques
Typical values (unless otherwise specified)
IRF6610PbF IRF6610TRPbF
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 15 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 5.2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 2.1 В
- Корпус транзистора: SQ
- Количество выводов: 5
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Семейство: 6610
- Current Id Max: 12 А
- Тип корпуса: SQ
- Power Dissipation Pd: 2.2 мВт
- Pulse Current Idm: 120 А
- SMD Marking: 2.2
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.1 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds: 20 В
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.55 В
- Voltage Vgs th Min: 1.65 В
RoHS: есть