Datasheet IRF6621TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, SQ — Даташит
Наименование модели: IRF6621TR1PBF
Купить IRF6621TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 22 до 139 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков Транзистор N-канальный 30V 55A 42W 0,0091R SQ | |||
IRF6621TR1PBF Infineon | от 22 ₽ | ||
IRF6621TR1PBF Infineon | от 22 ₽ | ||
IRF6621TR1PBF International Rectifier | по запросу | ||
IRF6621TR1PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, SQ
Краткое содержание документа:
IRF6621PbF IRF6621TRPbF
DirectFET Power MOSFET
Typical values (unless otherwise specified)
PD - 97093
RoHS Compliant l Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) l Application Specific MOSFETs l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Low Conduction Losses and Switching Losses l Low Profile (<0.7mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with existing Surface Mount Techniques
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 12 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 1.8 В
- Корпус транзистора: SQ
- Количество выводов: 5
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Семейство: 6621
- Current Id Max: 9.6 А
- Тип корпуса: SQ
- Power Dissipation Pd: 2.2 мВт
- Pulse Current Idm: 96 А
- SMD Marking: 2.2
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.25 В
- Voltage Vgs th Min: 1.35 В
RoHS: есть