Datasheet IRF6626TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, ST — Даташит

International Rectifier IRF6626TR1

Наименование модели: IRF6626TR1

Купить IRF6626TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 35 до 4 533 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Akcel Весь мир	IRF6626TR1 Infineon	от 35 ₽
ЧипСити Россия	IRF6626TR1PBF Infineon	140 ₽
ChipWorker Весь мир	IRF6626TR1PBF Infineon	149 ₽
ТаймЧипс Россия	IRF6626TR1PBF International Rectifier	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, ST

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96976D
IRF6626
DirectFET Power MOSFET
RoHS compliant containing no lead or bromide l Low Profile (<0.7 mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Ultra Low Package Inductance l Optimized for High Frequency Switching l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Optimized for both Sync.

FET and some Control FET applications l Low Conduction and Switching Losses l Compatible with existing Surface Mount Techniques
l

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 16 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 4 МОм
Корпус транзистора: ST
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Capacitance Ciss Typ: 2380 пФ
Температура перехода максимальная: 150°C
Температура перехода минимальная: -40°C
Тип корпуса: ST
Power Dissipation Pd: 2.2 Вт
Pulse Current Idm: 16 А
Reverse Recovery Time trr Typ: 15 нс
SMD Marking: 6626
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.35 В
Voltage Vds: 30 В
Voltage Vds Typ: 30 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

LICEFA - V11-7-6-10
LICEFA - V11-7