Datasheet IRLMS1503 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N LOGIC MICRO-6 — Даташит

Купить IRLMS1503 на РадиоЛоцман.Цены — от 5.14 до 42 ₽ 41 предложений от 22 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 3.2 А, 0.1 Ом, SOT-23, Surface Mount
Стандарт СИЗ Россия	IRLMS1503TRPBF International Rectifier	5.14 ₽	Купить
Триема Россия	IRLMS1503TRPBF MOSFET N-CH 30V 3.2A	7.00 ₽	Купить
Промэлектроника Россия и страны СНГ	IRLMS1503TRPBF Infineon	41 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	IRLMS1503TRPBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N LOGIC MICRO-6

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 9.1508C
IRLMS1503
HEXFET® Power MOSFET
l l l l
Generation V Technology Micro6 Package Style Ultra Low Rds(on) N-Channel MOSFET

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 100 МОм
• Корпус транзистора: MicroSOIC
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 210 пФ
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 39nC
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 3.00 мм
• Внешняя длина / высота: 1.45 мм
• Внешняя ширина: 3.00 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 6.4nC
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: Micro6
• Power Dissipation Pd: 1.7 Вт
• Pulse Current Idm: 18 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns
• Reverse Recovery Time trr Typ: 36 нс
• SMD Marking: 2B
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В