Datasheet IRF7807VD2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, FETKY, SO-8 — Даташит

Купить IRF7807VD2PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 43 до 45 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8Pin SOIC
AiPCBA Весь мир	IRF7807VD2PBF International Rectifier	45 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IRF7807VD2PBF Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF7807VD2PBF Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF7807VD2PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, FETKY, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD-95291
IRF7807VD2PbF
· Co-Pack N-channel HEXFET® Power MOSFET and Schottky Diode · Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC Converters Up to 5A Output · Low Conduction Losses · Low Switching Losses · Low Vf Schottky Rectifier · Lead-Free
FETKY MOSFET / SCHOTTKY DIODE
A/S A/S A/S G

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 8.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 17 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 1 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 66 А
• Current Temperature: 25°C
• Forward Current If(AV): 3.7 А
• Forward Voltage VF Max: 0.54 В
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 66 А
• SMD Marking: 807VD2
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 1.2 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01