Datasheet IRLR8503PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, 49 А, D-PAK — Даташит

Купить IRLR8503PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 211 до 594 ₽ 9 предложений от 8 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные
Компонентс Ру Россия	IRLR8503PBF International Rectifier	211 ₽	Купить
727GS Весь мир	IRLR8503PBF Infineon	от 594 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	IRLR8503PBF International Rectifier	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRLR8503PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, 49 А, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 95095A IRLR8503PbF IRLR8503PbF
· · · · N-Channel Application-Specific MOSFET Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Minimizes Parallel MOSFETs for high current applications · Lead-Free
HEXFET® MOSFET for DC-DC Converters
D
Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve very low on-resistance.

The reduced conduction losses makes it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors. The IRLR8503 has been optimized and is 100% tested for all parameters that are critical in synchronous buck converters including RDS(on), gate charge and Cdv/dtinduced turn-on immunity. The IRLR8503 offers an extremely low combination of Qsw & RDS(on) for reduced losses in control FET applications. The package is designed for vapor phase, infra-red, convection, or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 2W is possible in a typical PCB mount application.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 44 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 18 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: D-PAK
• Current Id Max: 44 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 2°C/W
• On State resistance @ Vgs = 10V: 16 МОм
• Тип корпуса: DPAK
• Power Dissipation Pd: 62 Вт
• Pulse Current Idm: 196 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5