Datasheet IRF6612TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, MX — Даташит

International Rectifier IRF6612TR1PBF

Наименование модели: IRF6612TR1PBF

Купить IRF6612TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 27 до 4 754 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
Utmel Весь мир	IRF6612TR1PBF Infineon	от 27 ₽
Akcel Весь мир	IRF6612TR1PBF Infineon	от 27 ₽
ЧипСити Россия	IRF6612TR1PBF Infineon	150 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6612TR1PBF	по запросу

Электромеханические реле Hongfa – надежность и качество 19 января 2023

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, MX

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97215
DirectFETTM Power MOSFET
RoHs Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile (<0.7mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques
Typical values (unless otherwise specified)
IRF6612PbF IRF661TRPbF

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 24 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 2.5 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 1.8 В
Корпус транзистора: MX
Количество выводов: 5
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Семейство: 6612
Current Id Max: 19 А
Тип корпуса: MX
Power Dissipation Pd: 2.8 мВт
Pulse Current Idm: 190 А
SMD Marking: 2.8
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
Тип транзистора: Power MOSFET
Voltage Vds: 30 В
Voltage Vds Typ: 30 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Max: 2.25 В
Voltage Vgs th Min: 1.35 В

RoHS: есть