Datasheet IRF7413QPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7413QPBF
![]() 11 предложений от 11 поставщиков Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 0.011 Ohm; Id 13A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V; Vf 1 | |||
IRF7413QPBF Infineon | 62 ₽ | ||
IRF7413QPBF_10 | по запросу | ||
IRF7413QPBF | по запросу | ||
IRF7413QPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N SO-8
Краткое содержание документа:
PD - 96112
IRF7413QPbF
l l l l l l l l
HEXFET® Power MOSFET
A A D D D D
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 13 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 11 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 3 В
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 44nC
- Current Id Max: 13 А
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 58 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- BONKOTE - BON102
- Electrolube - SMA10SL
- Roth Elektronik - RE932-01