Datasheet IRF7807VPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8 — Даташит

Купить IRF7807VPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 8.64 до 64 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 9.5nC
ЧипСити Россия	IRF7807VPBF Infineon	64 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF7807VPBF	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF7807VPBF-1	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	IRF7807VPBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD-95210
IRF7807VPbF
· · · · N Channel Application Specific MOSFET Ideal for Mobile DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses 100% RG Tested Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET
S S S

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 8.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 17 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 8.3 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 66 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: IRF7807VPBF
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01