Datasheet IRFR3303PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, D-PAK — Даташит
Наименование модели: IRFR3303PBF
![]() 14 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 33A 3Pin(2+Tab) DPAK Tube | |||
MOSFET транзистор IRFR3303PBF SP001566900 IRF Infineon | 36 ₽ | ||
IRFR3303PBF Infineon | 145 ₽ | ||
IRFR3303PBF_5 International Rectifier | по запросу | ||
IRFR3303PBF Ledil | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, D-PAK
Краткое содержание документа:
PD - 95070A
IRFR3303PbF IRFU3303PbF
l l l l l l l
Ultra Low On-Resistance Surface Mount (IRFR3303) Straight Lead (IRFU3033) Advanced Process Technology Fast Switching Fully Avalanche Rated Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 33 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 31 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: TO-252
- Current Id Max: 33 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 10.5 мм
- Внешняя длина / высота: 2.55 мм
- Внешняя ширина: 6.8 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: DPAK
- Power Dissipation Pd: 57 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 57 Вт
- Pulse Current Idm: 57 А
- SMD Marking: IRFR3303PBF
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - SMA10SL
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK