Datasheet IRFZ24NSPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 55 В, 17 А, D2-PAK — Даташит
Наименование модели: IRFZ24NSPBF
![]() 11 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3Pin(2+Tab) D2PAK | |||
IRFZ24NSPBF International Rectifier | 102 ₽ | ||
IRFZ24NSPBF Infineon | 121 ₽ | ||
IRFZ24NSPBF International Rectifier | по запросу | ||
IRFZ24NSPBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, 55 В, 17 А, D2-PAK
Краткое содержание документа:
PD - 95147
IRFZ24NS/LPbF
l l l l l l l
Advanced Process Technology Surface Mount (IRFZ24NS) Low-profile through-hole (IRFZ24NL) 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 17 А
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On Resistance Rds(on): 70 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: D2-PAK
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 71mJ
- Capacitance Ciss Typ: 370 пФ
- Current Iar: 10 А
- Current Id Max: 17 А
- Current Idss Max: 25 мкА
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 15.49 мм
- Внешняя длина / высота: 4.69 мм
- Внешняя ширина: 10.16 мм
- Fall Time tf: 27 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 175°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 3.3°C/W
- N-channel Gate Charge: 20nC
- Количество транзисторов: 1
- On State resistance @ Vgs = 10V: 70 МОм
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 45 Вт
- Power Dissipation on 1 Sq.
PCB: 3.8 Вт
- Pulse Current Idm: 68 А
- Repetitive Avalanche Energy Max: 4.5mJ
- Reverse Recovery Time trr Typ: 56 нс
- Rise Time: 34 нс
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5