Datasheet IRL1004SPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 40 В, 110 А, D2-PAK — Даташит
Наименование модели: IRL1004SPBF
![]() 13 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 40V; RDS(ON) 0.0065Ω; ID 130A; D2Pak; PD 200W; VGS +/-16V | |||
IRL1004SPBF International Rectifier | 207 ₽ | ||
IRL1004SPBF International Rectifier | 220 ₽ | ||
IRL1004SPBF Infineon | по запросу | ||
IRL1004SPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, 40 В, 110 А, D2-PAK
Краткое содержание документа:
PD - 95575
Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Description
l l
IRL1004SPbF IRL1004LPbF
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 110 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 6.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 1 В
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: D2-PAK
- Current Id Max: 130 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 1°C/W
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
- Power Dissipation on 1 Sq.
PCB: 200 Вт
- Pulse Current Idm: 450 А
- SMD Marking: L1004S
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Voltage Vds: 40 В
- Voltage Vds Typ: 40 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5