Datasheet IRF7478QPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7478QPBF
7 предложений от 7 поставщиков Mosfet, Power; N-ch; Vdss 60V; Rds(on) 26 Milliohms; Id 4.2A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V | |||
| IRF7478QPBF | по запросу | ||
| IRF7478QPBF | по запросу | ||
| IRF7478QPBF Infineon | по запросу | ||
| IRF7478QPBF MOS International Rectifier | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N SO-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PD- 96128
SMPS MOSFET
IRF7478QPbF
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l l l
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 7.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 26 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 21nC
- Current Id Max: 7 А
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 56 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds: 60 В
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- BONKOTE - BON102
- Electrolube - SMA10SL
- Roth Elektronik - RE932-01
