Datasheet IRLS4030PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH 100 В 180 А D2PAK — Даташит
Наименование модели: IRLS4030PBF
![]() 17 предложений от 14 поставщиков Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube | |||
IRLS4030PBF Infineon | 70 ₽ | ||
IRLS4030PBF Infineon | 266 ₽ | ||
IRLS4030PBF International Rectifier | по запросу | ||
IRLS4030PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N-CH 100 В 180 А D2PAK
Краткое содержание документа:
PD - 97370
Applications l DC Motor Drive l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits l Optimized for Logic Level Drive l Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS l Superior R*Q at 4.5V VGS l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability l Lead-Free
IRLS4030PbF IRLSL4030PbF
HEXFET® Power MOSFET
D G S
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 110 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 4.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 2.5 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 190 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 370 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.5 В
RoHS: есть