Datasheet VS-FB180SA10P - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N — Даташит
Наименование модели: VS-FB180SA10P
МОП-транзистор N-Chan 100V 180 Amp | |||
VS-FB180SA10P,Nкан 100В 180А SOT227 Vishay | 42 856 ₽ | ||
VS-FB180SA10P Vishay | по запросу | ||
VS-FB180SA10P | по запросу | ||
VS-FB180SA10P Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N
Краткое содержание документа:
FB180SA10P
Vishay Semiconductors
Power MOSFET, 180 A
FEATURES
· Fully isolated package · Easy to use and parallel · Very low on-resistance · Dynamic dV/dt rating · Fully avalanche rated
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 180 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 6.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-227
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 180 А
- Тип корпуса: SOT-227
- Power Dissipation Pd: 480 Вт
- Способ монтажа: Screw
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
VSFB180SA10P, VS FB180SA10P