Datasheet IRF130 - International Rectifier Даташит N CH полевой транзистор, 100 В, 14 А, TO-204AA — Даташит

Купить IRF130 на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 3 019 ₽ 14 предложений от 14 поставщиков IRF130 Series 100V 0.18Ω 12NC Through Hole N-Channel Power MOSFET - TO-3
T-electron Россия и страны СНГ	IRF130 Infineon	1 100 ₽	Купить
Элитан Россия	IRF130 New Jersey Semiconductor	3 019 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	IRF130/MOS Samsung	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF130PBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: N CH полевой транзистор, 100 В, 14 А, TO-204AA

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 90333F
IRF130 REPETITIVE A ALANCHE AND dv/dt RATED V JANTX2N6756 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6756 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542] 100V, N-CHANNEL
Product Summary
Part Number IRF130 BVDSS 100V RDS(on) 0.18 ID 14A
The HEXFETtechnology is the key to International Rectifier's advanced line of power MOSFET transistors.

The efficient geometry and unique processing of this latest "State of the Art" design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. The HEXFET transistors also feature all of the well established advantages of MOSFETs such as voltage control, very fast switching, ease of paralleling and temperature stability of the electrical parameters. They are well suited for applications such as switching power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers and high energy pulse circuits.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 14 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 180 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: TO-3
• Количество выводов: 2
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 14 А
• Current Temperature: 25°C
• Fixing Centres: 30 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Расстояние между выводами: 11 мм
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: TO-3
• Power Dissipation Pd: 75 Вт
• Pulse Current Idm: 56 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - AKK 191
• Fischer Elektronik - FK 201SA-3
• Fischer Elektronik - SK 04/50 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5