Datasheet IRF640PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор транзистор N CH — Даташит
Наименование модели: IRF640PBF
![]() 61 предложений от 25 поставщиков Труба MOS, MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.18Ω; ID 18A; TO-220AB; PD 125W; VGS +/-20V | |||
IRF640PBF Vishay | 35 ₽ | ||
IRF640PBF Vishay | от 65 ₽ | ||
IRF640PBF-BE3 | от 94 ₽ | ||
IRF640PBF Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор транзистор N CH
Краткое содержание документа:
IRF640, SiHF640
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration VGS = 10 V 70 13 39 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 18 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On State Resistance: 180 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 18 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 125 Вт
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть