Datasheet IRFSL33N15DPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, D2-PAK — Даташит

Купить IRFSL33N15DPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 118 до 871 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 150V; 33A; 3.8W; TO262
ЧипСити Россия	IRFSL33N15DPBF International Rectifier	118 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IRFSL33N15DPBF Infineon	871 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IRFSL33N15DPBF Infineon	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRFSL33N15DPBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 95537
SMPS MOSFET
IRFB33N15DPbF IRFS33N15DPbF IRFSL33N15DPbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l High frequency DC-DC converters l Lead-Free Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App.

Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 33 А
• Drain Source Voltage Vds: 150 В
• On State Resistance: 56 МОм
• Корпус транзистора: D2-PAK
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 330mJ
• Семейство: 15
• Fall Time tf: 21 нс
• Температура перехода максимальная: 175°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 3.8 Вт
• Pulse Current Idm: 130 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 4.4V/ns
• Repetitive Avalanche Energy Max: 17mJ
• Rise Time: 38 нс
• Storage Temperature Max: 175°C
• Storage Temperature Min: -55°C
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
• Voltage Vds: 150 В
• Voltage Vds Typ: 150 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5.5 В
• Voltage Vgs th Min: 3 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5