HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet IRFU9N20DPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 200 В, 9.4 А, I-PAK — Даташит

International Rectifier IRFU9N20DPBF

Наименование модели: IRFU9N20DPBF

8 предложений от 8 поставщиков
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
ЧипСити
Россия
IRFU9N20DPBF
International Rectifier
90 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRFU9N20DPBF
International Rectifier
96 ₽
Akcel
Весь мир
IRFU9N20DPBF
Infineon
по запросу
Acme Chip
Весь мир
IRFU9N20DPBF
International Rectifier
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 200 В, 9.4 А, I-PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 93919A
SMPS MOSFET
Applications High frequency DC-DC converters
IRFR9N20D IRFU9N20D
HEXFET® Power MOSFET

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 9.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 200 В
  • On State Resistance: 380 МОм
  • Корпус транзистора: TO-251
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Альтернативный тип корпуса: I-PAK
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.75°C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V: 380 Ом
  • Тип корпуса: TO-251 (I-Pak)
  • Power Dissipation Pd: 86 Вт
  • Pulse Current Idm: 38 А
  • Время выключения: 9.3 нс
  • Время включения: 16 нс

RoHS: Y-Ex

На английском языке: Datasheet IRFU9N20DPBF - International Rectifier MOSFET, N, 200 V, 9.4 A, I-PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России