Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet IRF7473PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор N, SO-8 — Даташит

International Rectifier IRF7473PBF

Наименование модели: IRF7473PBF

14 предложений от 13 поставщиков
HEXFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
ЧипСити
Россия
IRF7473PBF
International Rectifier
32 ₽
Триема
Россия
IRF7473PBF MOSFET N-CH 100V 6.9A
49 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IRF7473PBF
по запросу
ТаймЧипс
Россия
IRF7473PBF
International Rectifier
по запросу

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор N, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 95559
IRF7473PbF
Applications l Telecom and Data-Com 24 and 48V input DC-DC converters l Motor Control l Uninterrutible Power Supply l Lead-Free Benefits l Ultra Low On-Resistance l High Speed Switching l Low Gate Drive Current Due to Improved Gate Charge Characteristic l Improved Avalanche Ruggedness and Dynamic dv/dt l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Typical SMPS Topologies l Full and Half Bridge 48V input Circuit l Forward 24V input Circuit Absolute Maximum Ratings
Parameter
ID @ TA = 25°C ID @ TA = 70°C IDM PD @TA = 25°C VGS dv/dt TJ TSTG Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Peak Diode Recovery dv/dt Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 seconds

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 26 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 6.9 А
  • Fall Time tf: 11 нс
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: SOIC
  • Pin Configuration: (1+2+3) с, 4 г, (8+7+6+5)D
  • Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
  • Pulse Current Idm: 55 А
  • Rise Time: 20 нс
  • Способ монтажа: SMD

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Dow Corning - 2265931
  • Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • Roth Elektronik - RE932-01

На английском языке: Datasheet IRF7473PBF - International Rectifier MOSFET N, SO-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка