Datasheet DE275-501N16A - IXYS RF Даташит Полевой транзистор, N, RF, DE275 — Даташит

Купить DE275-501N16A на РадиоЛоцман.Цены — от 2 546 до 2 966 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, D2, 6 PIN
ChipWorker Весь мир	DE275-501N16A IXYS	2 546 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	DE275-501N16A IXYS	2 616 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	DE275-501N16A IXYS	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	DE275-501N16A	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS RF

Описание: Полевой транзистор, N, RF, DE275

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DE275-501N16A
RF Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching
Symbol VDSS VDGR VGS VGSM ID25 IDM IAR EAR dv/dt PDC PDHS PDAMB RthJC RthJHS Symbol Test Conditions
Tc = 25°C Derate 1.9W/°C above 25°C Tc = 25°C

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 16 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 400 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 15 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Корпус транзистора: DE-275
• Количество выводов: 6
• Capacitance Ciss Typ: 1800 пФ
• Current Id Max: 16 А
• Тип корпуса: DE-275
• Power Dissipation Pd: 590 Вт
• Rise Time: 2 нс
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 15 В

RoHS: есть

Варианты написания:

DE275501N16A, DE275 501N16A