Datasheet DE375-102N12A - IXYS RF Даташит Полевой транзистор, N, RF, DE375 — Даташит

Купить DE375-102N12A на РадиоЛоцман.Цены — от 799 до 1 381 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков RF MOSFET N-CHANNEL DE375 / RF Mosfet N-Channel 940W DE375
AiPCBA Весь мир	DE375-102N12A IXYS	1 381 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	DE375-102N12A IXYS RF	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	DE375-102N12A	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	DE375-102N12A IXYS	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: IXYS RF

Описание: Полевой транзистор, N, RF, DE375

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DE375-102N12A
RF Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg High dv/dt Nanosecond Switching 50MHz Maximum Frequency
Test Conditions
TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M Continuous Transient Tc = 25°C Tc = 25°C, pulse width limited by TJM Tc = 25°C Tc = 25°C IS IDM, di/dt 100A/µs, VDD VDSS, Tj 150°C, RG = 0.2 IS = 0

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 12 А
• Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
• On State Resistance: 950 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 15 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Корпус транзистора: DE-375
• Количество выводов: 6
• Capacitance Ciss Typ: 2000 пФ
• Current Id Max: 12 А
• Тип корпуса: DE-375
• Power Dissipation Pd: 940 Вт
• Rise Time: 3 нс
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В
• Voltage Vds Typ: 1 кВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 15 В

RoHS: есть

Варианты написания:

DE375102N12A, DE375 102N12A